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IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
V GS
V DS
R D
D.U.T.
6.0
R g
+
- V DD
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
25
50
75
100
125
150
10 %
91046_09
T C , Case Temperature (°C)
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
D = 0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
10 -2
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
91046_11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
15 V
t p
V DS
V DS
L
Driver
- V DD
R g
20 V
t p
D.U.T
I AS
0.01 Ω
+
A
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 91046
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
5
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